Intel najavljuje velike promjene u razvoju čipova nakon što se iscrpi dosadašnji model baziran na Mooreovom zakonu.
Intelov direktor tehnologije i proizvodnje, William Holt, najavio je novi smjer razvoja Intelovih budućih čipova koji će se ubuduće fokusirati na energetsku učinkovitost s malim dobicima u performansama. U Intelu tako procjenjuju da će se sadašnji model razvoja iscrpiti kroz dvije generacije minijaturizacije te da će silicij vrhunac razvoja doseći pri tranzistorima veličine 7nm negdje oko 2020. godine.
Za razvoj čipova nakon tog perioda izgledne su tehnike poput kvantnog tuneliranja (pokušaji da se efekt koji je najveća prepreka daljnjoj minijaturizaciji iskoristi za izradu fundamentalno drugačijih računala u budućnosti) te ovladavanja spintronics registrima (tehnika koja se dosad koristila u diskovima visokog kapaciteta i magnetskim memorijama).
Nažalost, osim u kontekstu energetske učinkovitosti, ove metode neće značajno poboljšati performanse silicijskih čipova što otvara mogućnost za svojevrsnu stagnaciju u razvoju budućih čipova kakva nije viđena desetljećima. Iako već danas postoje eksperimentalne tehnike te prototipi dizajna čipova s tranzistorima i manjim od 7nm te vrlo brzih čipova temeljenih na egzotičnim materijalima, nije izgledno da će išta od toga biti spremno nastaviti razvoj u brzini čipova na kakav smo dosad navikli.
Intel je na ovaj način gotovo “digao ruke” od revolucionarnih rješenja i pomirio se s nadolazećom erom stagnacije što je vrlo znakovito u kontekstu industrije u kojoj je Intel daleko najveći i najnapredniji igrač iako uvijek postoji mogućnost da ovom problemu doskoči neki drugi velikan (Samsung, IBM, Qualcomm) industrije poluvodiča.
